一、产品概述
产品名称：砷化铟晶片InAs
产品简介：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
二、产品应用
应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。
用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
- 1： 产品名称：砷化铟晶片InAs
- 2： 生长方法：VGF
- 3： 尺寸：2inch / 3inch / 4inch
- 4： 类型/掺杂剂：Un N/S/Sn P/Zn
- 5： 方向：100/111
电话：0519-82663391
邮箱：sales@wowmaterials.com
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