氮化硅SiN膜上光刻后溅射钛Ti或金Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况

85 说明氮化硅SiN膜上光刻后溅射钛Ti或金Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况

SiN膜上光刻后做溅射工艺，溅射Ti或Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况，朋友门有遇到这种问题的吗？

　

　

　

　

　

分类：学术讨论微纳米材料纳米氮化物

最佳答案

溅射温度高，可以降低沉积温度；轰击能量高，试着降低沉积功率

和尚洗头用飘柔

回答于 2021-09-02 10:12:48

今天，你遇到什么问题呢？