利用二维纳米材料制成的超薄存储器件，可显著提高存储密度，并由此研制出一种以二维纳米材料为核心的柔性可变电阻存储器。但是，传统二维纳米材料的存储器由于其弱载流子捕获特性而受到限制。
来自韩国科学和技术研究所的先进复合材料研究小组最近基于异质低维超薄纳米结构，开发出一种透明、灵活的存储装置。他们将单层零维量子点夹在两个绝缘的二维六方氮化硼超薄纳米材料结构中。
该团队在有源层中引入具有优良量子限制性质的零维量子点，控制二维纳米材料中的载流子，从而制造出了一种能成为下一代存储器的装置。
基于这一理论，零维量子点形成了一种直立叠加的复合结构，并夹在二维六边形的h-BN纳米材料之间，形成了透明、柔性的器件。结果，所研制的装置即使在弯曲状态下仍可保持80%以上的透明度和记忆功能。
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该团队利用绝缘六方氮化硼上的量子点堆叠控制技术，来替代导电石墨烯，为超薄纳米复合材料结构的研究奠定了基础，揭示了下一代存储器件的制造和驱动原理。该团队计划将异质低维纳米材构成的堆栈控制系统化，并拓展其应用领域。
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该论文发表在《复合材料B：工程》上，题为《基于六方氮化硼层间量子点单分子膜的垂直堆叠hBN/QDs/hBN结构的记忆效应》。
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