近日，北京大学/北京石墨烯研究院刘忠范课题组、林立课题组、彭海琳课题组与中国科学技术大学吴恒安课题组报道了一种石墨烯晶圆的快速、规模化转移方法，解决了石墨烯晶圆的规模化转移问题。
传统的转移方法由于复杂的操作步骤，且需要较长转移时间，难以用于快速的规模化石墨烯晶圆转移，使得后续的石墨烯晶圆在电子器件等领域的应用难以实现。
基于化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）方法在超平整Cu(111)晶圆衬底制备的石墨烯晶圆材料质量高、性质优异，是未来极具应用前景的石墨烯薄膜材料。因此为实现石墨烯晶圆材料的规模化应用，需开发石墨烯晶圆快速、规模化的转移方法。
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石墨烯晶圆快速、规模化转移方法流程图
课题组研发的转移方法是对铜晶圆表面进行均匀氧化，并旋涂聚双酚A碳酸脂（PC)以及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)作为转移媒介将石墨烯与铜晶圆机械“干法”分离，之后采用高分子共混策略实现石墨烯与目标衬底的无损动态辊压贴合，并在转移媒介中再混合低玻璃化转变温度的聚碳酸亚丙酯（PPC）促进石墨烯与目标衬底的共形接触，最终利用有机溶剂去除高分子转移媒介。转移后的石墨烯结构完整、表面洁净，并且全部转移操作可在15分钟内完成。
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铜晶圆的均匀氧化结果以及石墨烯晶圆的完整、洁净转移结果
该研究采取不同于传统的铜氧化策略，而是利用将石墨烯晶圆浸泡于乙醇/水混合液中，调节氧化剂在石墨烯与铜界面处的浸润性，进而在铜晶圆/石墨烯界面处形成了大面积均匀的氧化层，确保机械剥离后的石墨烯晶圆薄膜保持结构完整。研究成果以“Rapid and Scalable Transfer of Large-area Graphene Wafers”为题，
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