一、产品概述
名称:In2Se3硒化铟晶体
In2Se3 硒化铟晶体参数:
材料名称In2Se3 晶体种类半导体、红外材料 晶相 α-2H相 纯度 >99.9% 禁带宽度 0.99 eV 晶体生长方式 CVT化学气相传输法 优点 稳定好剥离
- 1: 产品名称:In2Se3硒化铟
- 2: 单位分子式:In2Se3
- 3: 晶体种类:半导体,红外材料
- 4: 晶相:α-2H相
- 5: 晶体大小:5~10 mm
- 6: 纯度:>99.9%
- 7: 禁带宽度:0.99 eV
- 8: 晶体生长方式:CVT 化学气相传输法
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