一、产品概述
名称:InSe硒化铟 β相
InSe 硒化铟晶体参数:
材料名称InSe 晶体种类半导体、红外材料,拓扑材料 晶相 β相 纯度 >99.9% 禁带宽度 0.5 eV 注意事项 表面易氧化
- 1: 产品名称:InSe硒化铟
- 2: 单位分子式:InSe
- 3: 晶体种类:半导体,红外材料,拓扑材料
- 4: 晶相:β相
- 5: 晶体大小:5~10 mm
- 6: 纯度:>99.9%
- 7: 禁带宽度:0.5 eV
- 8: 注意事项:表面易氧化
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