一、产品概述

产品简介：通过“磁控溅射+固相外延重结晶”的技术制备铜单晶晶圆，进而在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯晶圆。利用界面结合力与热应力工程消除了石墨烯的褶皱与台阶束，使其粗糙度(RMS)降低至1nm以下。相较于普通CVD石墨烯薄膜，单晶石黑烯晶圆具有更高的平整度，媲美机械剥离石墨烯的超强机械性能以及超高的均一性，是石墨烯应用于高性能电子及光电子器件集成的理想材料。

产品特点：更高的平整度、超强机械性能、超高的均一性

二、产品参数

 

类别	牌号	衬底	参数
单晶石墨烯晶圆	WS-AC	铜（111）/蓝宝石	1．粗糙度：＜1nmWS-AC 2．单层率：＞99％ 3．面电阻：250-300 Ω／sq（SiO2／Si衬底） 4．尺寸：4英寸/6英寸
	WS-ACN	铜镍（111）/蓝宝石

 

类别	牌号	衬底	参数
单晶铜衬底	Cu111	1.晶面Cu（111） 2.晶向偏差<5° 3.粗糙度Ra<400nm	2×2（cm2） 5×5（cm2） 10×10（cm2）
单晶铜晶圆衬底	Cu111-Sa	1.平整度优于0.5nm 2.单晶区域>95%	Φ4 inch

 

类别	转移产品牌号	尺寸
石墨烯薄膜转移	T-PET	2×2（cm2） 5×5（cm2） 10×10（cm2） 21×29.7（cm2） 29.7×42（cm2）
	T-Si	Φ1 inch Φ2 inch Φ4 inch
单晶石墨烯晶圆转移	T-Si	Φ1 inch Φ2 inch Φ4 inch