一、产品概述

产品简介：奇材馆合作开发的掺铁铌酸锂晶体相比于纯铌酸锂晶体，通过掺杂铁来调节晶体的电阻率，缓解了晶片的热释电效应并降低光透过率，提高晶体电荷中和能力，减少器件制作过程中的漫反射。可应用于声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等电子器件。
产品特点：电荷中和能力高、低透光率、低电阻率

二、产品参数

产品名称	掺铁铌酸锂晶体	化学组成	Fe:LiNbO3
类型	压电晶体	晶胞参数	a=5.148 Ǻ c=13.863 Ǻ
莫氏硬度	5	熔点	1255 ℃
居里温度	1142 ± 2 ℃	密度	4.64 g/cm3
体电阻率	1010 ~ 1011 Ω*cm	机电耦合系数	k26≥60% k2≥25%
切割方向	127.86°Y,64°Y,41°Y and other specia Orientation

 

三、产品应用

应用于声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等电子器件。

四、参考文献

1、Droplet Ejection and Liquid Jetting by Visible Laser Irradiation in Pyro-Photovoltaic Fe-Doped LiNbO3 Platforms
2、All-optical microfluidic chips for reconfigurable dielectrophoretic trapping through SLM light induced patterning†